“五一”假期，外圍市場，存儲公司又漲爆了。當地時間周一，存儲牛股美光科技和閃迪逆勢拉升，股價再度創出歷史新高。作為直接誘因，周一亞洲交易時段，即將登陸美股市場的SK海力士暴漲12%，市值首次突破1000萬億韓元。自2025年下半年開始，存儲芯片行情緊俏，也讓全球頭部存儲供應商動向成為持續關注的焦點。

集體賺翻

截至周一收盤，美光科技漲6.31%，閃迪漲近5%。希捷科技、西部數據也在這番情緒的鼓動下創出盤中歷史新高。

作為存儲板塊大漲的直接誘因，周一亞洲交易時段，即將登陸美股市場的SK海力士暴漲12%，市值首次突破1000萬億韓元。SK海力士收盤市值達到6970億美元，位居全球上市公司市值榜單第16位。

順便一提，另一家存儲巨頭三星電子周一“僅”上漲約5%，同樣創出歷史新高。漲幅不如SK海力士的原因是存儲芯片太賺錢導致勞資糾紛升級，市場正在衡量潛在罷工的影響。三星工會曾威脅，可能會從5月21日起開展為期18日的罷工。

分析指出，上周美國科技四巨頭谷歌、微軟、亞馬遜和Meta預告今年7000億美元的資本支出提振了韓國存儲巨頭的炒作情緒。

有兩大同行的襯托，美光科技周一逆勢大漲也在情理之中。道瓊斯市場數據顯示，美光科技上周五首次突破6000億美元市值關口，一個半月前公司才剛突破5000億美元市值，距離其達到2000億美元門檻僅過了7個月時間。

為了論證這輪存儲漲勢還能延續，各路媒體和分析師也各顯神通。

業績方面，SK海力士一季度營收達52.58萬億韓元，同比暴增198%，環比增長60%。盈利表現同樣耀眼。一季度公司實現經營利潤37.61萬億韓元，同比增長405%，環比增長96%；凈利潤更是達到40.35萬億韓元，同比大增398%，環比增長165%；毛利率79%，同比提升22個百分點，環比提升10個百分點。

公司方面指出，這是源于DRAM(內存)與NAND(閃存)價格上漲，推動高附加值產品對公司占比提升；同期公司營業利潤率達72%，創歷史新高，該數據在上一個季度為58%，上年同期則為42%。

三星電子發布的財報則顯示，第一季度公司實現銷售收入133.9萬億韓元，同比增長69%，環比增長43%，其中半導體事業部(DS部門)實現銷售收入81.7萬億韓元，環比增長86%。

盈利表現更是亮眼。第一季度三星整體實現經營利潤57.2萬億韓元，環比增長184.6%，同比增長756%，也就是超過7倍。

其中，存儲業務成為公司該季度當之無愧的業績貢獻核心。三星的DS事業部主要包括存儲芯片和晶圓代工兩大類業務，在第一季度，存儲芯片實現銷售收入74.8萬億韓元(環比增長101.62%)，晶圓代工收入則為6.9萬億韓元(環比持平)。

近日，巴克萊銀行將SK海力士目標股價從900歐元上調至1100歐元，將三星電子目標股價從40萬便士上調至42.5萬便士。

閃迪(SanDisk)在Non-GAAP條件下，2026財年第三財季(也即公歷今年第一季度)實現營收59.5億美元，環比增長97%；期內實現毛利率78.4%，環比增長27.3個百分點；凈利潤36.75億美元，環比大增280%。

閃迪首席執行官David Goeckeler表示：“本季度是閃迪發展的一個根本性轉折點，公司正主動調整業務結構，在數據中心業務的引領下，向高價值終端市場傾斜。”根據披露，這里提到的高價值市場主要指向數據中心業務，在該季度營收環比增長233%。

股票研究機構Fox Advisors和伯恩斯坦也接連發布報告，分別將閃迪目標價上調至1500美元和1750美元，強調NAND芯片漲價對公司構成的利好。

中國企業資本聯盟副理事長柏文喜認為，AI訓練和推理需要海量的高帶寬內存(HBM)和大容量存儲。以英偉達為首的AI芯片巨頭，幾乎將頭部存儲廠的高端產能“一掃而空”。這種結構性短缺引發了傳統存儲顆粒的暴漲，部分型號半年漲幅甚至超過200%。成本壓力順著產業鏈一路傳導，直接推高了終端產品(如手機、汽車)的價格。

風繼續刮？

綜合來看，存儲芯片巨頭業績集體暴漲背后，是芯片市場轉向賣家市場后的一種自然選擇：存儲供應商將更多產能和產品轉向具備更高價值空間的AI基礎設施領域，同時，供不應求也導致存儲芯片價格持續上漲。

根據市場調研機構Counterpoint Research的數據，受內存價格上漲推動，DRAM市場已連續兩個季度實現環比30%的增長。

科技媒體Wccftech在此前報道中著重提及，美光科技的董事長、總裁兼首席執行官桑賈伊·梅洛特拉(Sanjay Mehrotra)近日接受采訪時表示，人工智能還處于非常早期的階段(“第一局”)。

梅洛特拉當時表示：“隨著推理的擴展，對詞元的需求會增加，而這些詞元需要高速處理，猜猜看，你需要更多內存，需要更快的內存，才能釋放內存的全部潛力。而且如今內存供應非常緊張，供應不可能那么容易提升，你可以從我們的業績中看到這一點。”

美光科技正在為英偉達的Vera Rubin平臺提供12層HBM4 DRAM內存，公司還在開發下一代HBM4E內存，預計將于明年投產。公司最近發布了256GB SOCAMM2內存，還為英偉達的Groq 3 LPX提供DDR5內存。

存儲芯片過去被認為是計算芯片的“輔助”角色，到如今已經站在全球AI競賽的舞臺中央，成為決定AI算力與智能邊界的關鍵基石。

在華爾街分析師中，最看好美光科技的分析師是D.A.Davidson的吉爾·盧里亞(Gil Luria)，他近期給予該公司高達1000美元的首次覆蓋目標價，較當前水平還有近八成的升值空間。

盧里亞解讀稱，僅僅在一年前，存儲還被視為計算市場中價值較低的部分，那時存儲芯片被視為一種同質化商品，主要面向C端用戶。同時，內存市場歷來具有周期性，2023年出現的內存供過于求，導致行業大幅下行和虧損。

韓國研究機構Matrix的首席執行官Kwak Sang-jun也表示，歷史上股價高點通常出現在盈利高點前1至1.3年。三星電子在2021年1月的股價高點就是一個例子，公司的實際盈利高點出現在2023年。

值得注意的是，其他存儲巨頭也在加速擴產和研發。

4月22日，SK海力士宣布，計劃在韓國投資19萬億韓元(約合128.5億美元)，用于建設一座新的先進封裝制造工廠，以滿足全球對人工智能存儲器不斷增長的需求。SK海力士預計2026年資本開支同比大幅增長，公司正加快龍仁集群晶圓廠的建設。

SK海力士在一份聲明中寫道，新的芯片制造廠將專門用于先進封裝工藝，這一工藝對于制造諸如高帶寬存儲器(HBM)芯片等人工智能存儲產品至關重要。

三星電子方面則表示，服務器DRAM與固態硬盤(SSD)市場有望持續保持高景氣。公司將持續提升DDR5、SOCAMM2等高附加值AI產品的營收占比；同時聚焦KV Cache(緩存)場景的高性能產品，率先布局第三代PCIe 6.0企業級固態硬盤市場。

中關村物聯網產業聯盟副秘書長袁帥表示，整體來看，這一輪存儲行業的景氣度至少可以持續至2026年底，只要AI產業的發展節奏不出現大幅放緩，存儲芯片的稀缺性價值就依然存在，頭部廠商的業績增長與股價支撐邏輯就不會發生根本性逆轉。

眺遠影響力研究院院長高承遠認為，若AI應用落地不及預期導致算力投資放緩，或地緣政治擾動供應鏈，可能提前終結景氣周期。但當前看，存儲行業的上漲邏輯建立在“AI剛需+供給受限”的硬支撐上，屬于典型的產業趨勢性機會，而非短期資金博弈。