進入2026年，全球內存市場的漲價潮仍未停歇，甚至漲幅超出年初多家機構的預期。最新行業數據顯示，二季度通用DRAM合約價環比上漲幅度達到58%-63%，延續了一季度接近翻倍的暴漲走勢，部分消費級現貨規格年內漲幅已經突破200%，AI需求爆發疊加供給端結構性收縮，正在推著內存價格持續“狂飆”。

漲價幅度超出預期，全品類價格集體走高

今年年初，行業機構對一季度DRAM合約價的漲幅預測為55%-60%，但最終實際漲幅達到90%-95%，遠高于最初預期；進入二季度，漲價趨勢并未放緩，集邦咨詢最新預測顯示，二季度常規DRAM合約價將再漲58%-63%，NAND閃存合約價漲幅達到70%-75%，漲幅甚至超過一季度。

不同品類中，AI服務器拉動的高容量DDR5漲幅最為突出，服務器DRAM環比漲幅已經達到65%-70%；消費級市場中，成熟規格的低容量DDR4產品反而漲幅更高，4Gb及以下規格單月漲幅已經超過20%，主要原因是頭部廠商逐步淘汰成熟產能，供給收縮的幅度超出市場需求變化。國內現貨市場的波動比合約市場更為劇烈，截至5月，主流16GB DDR5內存較2025年底漲幅已經達到200%-300%，國產存儲芯片品牌同步跟漲，盡管漲幅比海外品牌低5%-10%，但交付周期已經從原來的4周延長至12周，供不應求的態勢十分明顯。

AI需求+產能轉移，雙輪驅動價格暴漲

此輪內存漲價的核心動力，來自AI產業爆發帶來的需求激增，以及頭部廠商主動調整產能結構帶來的供給收縮。

需求端來看，單臺AI服務器的DRAM用量是傳統服務器的6-8倍，NAND用量更是達到3倍，北美頭部云廠商正在加速AI推理基礎設施建設，批量采購高容量RDIMM內存，全球超過70%的高端存儲產能已經被數據中心通過長期協議鎖定，留給消費級市場的產能被大幅擠壓。國內AI廠商的搶單行為進一步加劇了供給緊張，即使產能向AI傾斜，AI專用內存HBM仍處于一貨難求的狀態。

供給端來看，三星、SK海力士、美光等頭部廠商將80%-90%的先進產能轉向AI專用的HBM內存，通用存儲產能被系統性壓縮，三大原廠的整體庫存已經降至4周，遠低于8-12周的行業安全線，創最近十年歷史新低。供給剛性收縮之下，哪怕需求沒有大幅增長，價格也會因為供需缺口持續推高。

此外，國內存儲產業國產替代加速，國內模組廠商為規避海外廠商漲價風險，加大了對長鑫存儲、長江存儲等國產芯片的采購力度，反而進一步推高了國產芯片的價格，形成了需求端的額外增量。

漲價趨勢或延續至2027年，下游市場承受較大壓力

對于后市走勢，多數機構預測，當前的供需失衡格局難以在短時間內扭轉，內存價格上漲的趨勢至少會延續到2027年一季度，2026年全年DRAM均價漲幅或將達到88%，NAND閃存均價漲幅達到74%， meaningful的產能擴張最早要到2027年底才能落地。

價格持續暴漲已經對下游消費電子市場帶來明顯沖擊，組裝市場需求出現明顯下滑，內存漲價之后，普通消費者裝機成本大幅提升，非剛需用戶紛紛推遲裝機計劃，線下組裝門店的成交量出現明顯下滑，部分中小商家因為沒趕上囤貨周期，只能承受進價上漲卻不敢向下游傳導，利潤被大幅壓縮。

有行業觀點認為，當前內存市場的超級周期和過往加密貨幣帶動的周期不同，本次需求增長來自AI產業的真實拉動，規模和持續性都遠超以往，供需再平衡需要更長時間。但也有市場人士提醒，頭部廠商刻意控制產能維持高價的行為，會持續擠壓下游產業利潤，長期來看反而會影響整個存儲產業的健康發展，推動行業技術迭代的節奏放緩。