- 存儲芯片爆發(fā) 三星電子利潤創(chuàng)紀(jì)錄
- 2026年01月09日來源:北京商報
提要:1月8日,三星電子披露業(yè)績數(shù)據(jù),核實按合并財務(wù)報表口徑計算的公司2025年第四季度營業(yè)利潤同比大增208.2%,達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的20萬億韓元(約合138億美元)。銷售額同比增加22.7%,也創(chuàng)下歷史新高。
1月8日,三星電子披露業(yè)績數(shù)據(jù),核實按合并財務(wù)報表口徑計算的公司2025年第四季度營業(yè)利潤同比大增208.2%,達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的20萬億韓元(約合138億美元)。銷售額同比增加22.7%,也創(chuàng)下歷史新高。
三星電子業(yè)績高增主要原因是供應(yīng)緊張和AI驅(qū)動的需求激增推高了傳統(tǒng)存儲芯片的價格。三星是全球三大存儲芯片供應(yīng)商之一。
數(shù)據(jù)顯示,去年第四季度三星電子營業(yè)利潤為20萬億韓元(約合人民幣964億元),同比劇增208.2%,環(huán)比增加64.3%;銷售額為93萬億韓元,同比增加22.7%,環(huán)比增加8.1%。兩項業(yè)績均高出市場預(yù)期。據(jù)統(tǒng)計,市場曾預(yù)測三星電子2025年四季度營業(yè)利潤將同比增加202.6%,為19.6457萬億韓元;銷售額將同比增加22.1%,為92.5445萬億韓元。
回溯歷史數(shù)據(jù),三星電子此前的單季營業(yè)利潤峰值為2018年第三季度創(chuàng)下的17.6萬億韓元,此次20萬億韓元的業(yè)績不僅打破了這一保持多年的紀(jì)錄,更較上年同期的6.49萬億韓元實現(xiàn)翻倍以上增長。
三星計劃于1月29日公布2025年第四季度正式財報,包括各業(yè)務(wù)部門的具體利潤。目前,存儲芯片價格依然在繼續(xù)上漲中,且漲幅驚人。三星依然是受益者,會推高2026年年度的業(yè)績。
AI服務(wù)器對存儲芯片的需求量達(dá)到普通服務(wù)器的8至10倍。這導(dǎo)致高端存儲芯片供應(yīng)陷入嚴(yán)重短缺,引發(fā)價格“失控式”上漲。據(jù)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù),自2025年9月以來,DDR5內(nèi)存顆粒現(xiàn)貨價格暴漲307%,DDR4漲幅也超158%,第四季度全球一般型DRAM價格季增8%—13%,若計入HBM則漲幅擴大至13%—18%;NAND Flash各類產(chǎn)品合約價全面上漲,平均漲幅達(dá)5%—10%。
作為全球最大的內(nèi)存芯片制造商,三星電子通過產(chǎn)能結(jié)構(gòu)優(yōu)化抓住了這一輪漲價紅利。公司大幅縮減消費級通用存儲芯片的產(chǎn)能,將資源集中投向HBM、DDR5等高端高毛利產(chǎn)品的生產(chǎn),尤其是在HBM領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵突破。
三星電子此前在HBM領(lǐng)域一度落后于競爭對手SK海力士和美光科技,而目前這一差距正在縮小。受此影響,三星股價在2025年上漲了125%,創(chuàng)下26年來最大年度漲幅。
日前,韓國媒體《韓國經(jīng)濟日報》援引行業(yè)匿名人士消息,三星電子與SK海力士計劃在2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%。報道稱,兩家公司同時向個人電腦與智能手機DRAM客戶提出了相近幅度的漲價方案。
上述報道稱,兩家公司此次提價策略基于對市場需求持續(xù)走強的預(yù)判。據(jù)悉,三星與SK海力士堅持采用季度合約而非長期協(xié)議,以靈活適應(yīng)價格變動。
TrendForce最新調(diào)查也對今年一季度存儲芯片價格做出了預(yù)判,傳統(tǒng)DRAM合約價格環(huán)比上漲約55%至60%,NAND閃存產(chǎn)品類別的合約價格上漲33%至38%。
TrendForce還預(yù)計,2026年第一季度服務(wù)器DRAM的價格將環(huán)比上漲超過60%。
TrendForce表示,人工智能推理驅(qū)動的基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展持續(xù)推動著美國通信服務(wù)提供商(CSP)的采購。自2025年底以來,這些公司一直在拉攏訂單,從而增加了對服務(wù)器DRAM的需求。隨著供應(yīng)商庫存接近枯竭,出貨量增長完全依賴于晶圓產(chǎn)量的增加,供應(yīng)緊張的局面持續(xù)加劇。
里昂證券韓國區(qū)研究主管Sanjeev Rana表示,2025年四季度,DRAM芯片的平均售價環(huán)比上漲超30%,NAND閃存的平均售價環(huán)比上漲了約20%。“超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商和云服務(wù)商正在大量采購DRAM,而且愿意支付溢價。”Rana表示,并補充稱,強勁價格走勢有望貫穿整個2026年,甚至延續(xù)至2027年上半年,“即便在那之后,價格也可能不會明顯回落,因為市場需求過于強勁,而供應(yīng)端則處于緊張狀態(tài)”。
根據(jù)最新報道,三星電子已于2025年向英偉達(dá)交付其尖端的HBM4樣品進(jìn)行資格測試,公司也有望在2026年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn),以支持英偉達(dá)即將推出的Rubin處理器。CLSA預(yù)計,隨著HBM4進(jìn)入商業(yè)供應(yīng)階段,三星的HBM總出貨量將在2026年增加兩倍。
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